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科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀功能方法
穩(wěn)態(tài)極化：開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（I-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP） 暫態(tài)極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍（VSTEP）、多電流階躍（ISTEP） 伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）#、線性循環(huán)伏安法（CV）、 腐蝕測(cè)量：動(dòng)電位再活化法（EPR）、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）、晶間腐蝕 電池測(cè)試：電池充放電測(cè)試、恒電流充放電 擴(kuò)展測(cè)量：圓盤(pán)電極測(cè)試
科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍：±10V
恒電流控制范圍：±2.0A
電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電流靈敏度：1pA
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)
槽壓輸出：±21V （可擴(kuò)展至±200V)
電流掃描增量：1mA @1A/mS
參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF
較大輸出電流：2.0A
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s
電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
電流量程：2nA～2A, 共10檔
SWV頻率：0.001～100KHz
CV的較小電位增量：0.075mV
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS
低通濾波器 ：8段可編程
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1KHz
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
通訊接口：USB2.0
儀器重量：6.5Kg
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)
科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀配置： 儀器主機(jī)1臺(tái) 電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條 CorrTest測(cè)試與分析軟件1套 電極電纜線（含噪聲測(cè)量線）1條 模擬電解池1個(gè)（儀器自檢器件）
關(guān)鍵詞：武漢科思特、科思特CS150M、CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀、點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀、科思特CS150M點(diǎn)蝕電位測(cè)試儀
京公網(wǎng)安備 11011502003124號(hào)
